2024年12月10日 Kangbai Li
　　　ISSM 2024 Best Papers Award
　　　Ar/N2 gas flow rate dependence on the ferroelectric HfN1.15 thin film formation by ECR-plasma sputtering

2023年7月10日 Eunki Hong
　　　AWAD2023 YOUNG RESEARCHER AWARDS
　　　Development of Etching Process for the N-doped LaB6/LaBxNy Stack Structure to Realize Floating-gate type Non-volatile Memory

2022年12月13日 田沼 将一
　　　ISSM2022 Best Papers Award
　　　Deposition rate dependence of 5 nm-thick ferroelectric nondoped HfO2 on MFSFET characteristics

2021年8月26日 Eunki Hong
　　　AWAD2021 Young Researcher Award
　　　Effect of low sputtering gas pressure on the LaBxNy insulator formation for pentacene-based floating gate memory application

2021年6月3日 Jooyoung Pyo
　　　EM-NANO2021 Best Student Presentation Award
　　　Multi-level 2-bit/cell Operation Utilizing Hf-based MONOS Nonvolatile Memory with HfON Tunneling Layer

2021年3月2日 太田口 幸久
　　　学士特定課題研究発表会(電気電子系)　学士優秀学生賞・楽水会賞
　　　強誘電性HfNx薄膜の形成とデバイス応用に関する研究 　

2020年12月16日 井原　爽生
　　　ISSM2020TOKYO Virtual Symposium Best Paper Award,Student Award
　　　Investigation of high-k HfN multilayer gate dielectrics for MISFET fabricated with Si surface flattening 　

2020年12月16日 Jooyoung Pyo
　　　ISSM2020TOKYO Virtual Symposium Best Paper Award
　　　Ar/N2-plazma Sputtering Pressure Dependence on EOT Reducation of HfON Tunneling layer Formed by The Plasma Oxidation of HfN for Hf-based MONOS Diodes 　

2020年10月24日 堀内 勇介
　　　電子情報通信学会シリコン材料・デバイス研究会　若手優秀発表賞
　　　多層電荷蓄積層を用いたHf系MONOS型不揮発性多値メモリに関する検討 　

2019年8月28日 森田 大貴
　　　電気学会 東京支部主催 第10回学生研究発表会 優秀発表賞
　　　In-situプロセスによるHf系MONOS構造の形成とデバイス応用に関する研究 　

2019年8月28日 林 将生
　　　電気学会 東京支部主催 第10回学生研究発表会 優秀発表賞
　　　強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への形成とデバイス応用に関する研究 　

2018年8月31日 片岡 正和
　　　電気学会 東京支部主催 第9回学生研究発表会 優秀発表賞
　　　強誘電性ノンドープHfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成とデバイス応用 　

2018年5月30日 Min Gee Kim
　　　IEEE IFAAP Poster Award
　　　Electrical Characteristics of Ferroelectric HfO2 Directly Deposited on Si Substrates 　

2017年10月25日 前田 康貴
　　　電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス研究会（SDM） 招待講演　若手優秀発表賞
　　　HfO2をゲート絶縁膜に用いたペンタセンOFETのデバイス特性に関する検討 　

2017年9月4日 井上 秀文
　　　電気学会 東京支部主催 第8回学生研究発表会 優秀発表賞
　　　強誘電性HfO2薄膜のSi(100)基板上への直接形成に関する研究　

2017年7月3日 工藤 聡也
　　　AWAD2017 Young Researcher Awards
　　　Improvement of endurance characteristics for Hf-based MONOS structures on atomically flat Si(100) surface realized by annealing in Ar/H2 ambient　

2016年9月14日 Nithi Atthi
　　　第77回(2016年秋季)応用物理学会 招待講演
　　　Investigation of Bilayer HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering　

2016年3月19日 Nithi Atthi
　　　第40回(2016年春季)応用物理学会 講演奨励賞
　　　Investigation of Bilayer HfN Gate Insulator Formed by ECR Plasma Sputtering　

2015年12月11日Nithi Atthi
　　　電子情報通信学会ﾊﾞｲｵﾃｸﾉﾛｼﾞｰｴﾚｸﾄﾛﾆｸｽ研究会 優秀研究賞
　　　Investigation of stacked HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering」

2015年8月31日 塚崎 真弘
　　　電気学会第6回学生研究発表会 優秀発表賞
　　　熱処理によるSOI基板表面原子ﾚﾍﾞﾙ平坦化に関する検討　
　　　　
2014年9月1日 Fadliondi
　　　電気学会第5回学生研究発表会 優秀発表賞
　　　有機強誘電体ｸﾛｺﾝ酸を用いた不揮発性メモリに関する研究